比亞迪：近期推1200V 1040A高功率SiC模塊

近日，從國(guó)內(nèi)媒體處獲悉，比亞迪半導(dǎo)體于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，相較于市場(chǎng)主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變?cè)心K封裝尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設(shè)計(jì)、高散熱設(shè)計(jì)及車規(guī)級(jí)驗(yàn)證等技術(shù)難題，充分發(fā)揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢(shì)，后續(xù)也將匹配更高功率新能源汽車平臺(tái)應(yīng)用，充分發(fā)揮其大功率優(yōu)勢(shì)。

　　據(jù)悉，1200V 1040A SiC功率模塊采用雙面燒結(jié)工藝，具備更出色的工藝優(yōu)勢(shì)和可靠性。

　　芯片下表面燒結(jié)工藝，連接層導(dǎo)熱率與可靠性提高：

　　SiC MOSFET芯片下表面采用燒結(jié)工藝，相比傳統(tǒng)焊接工藝模塊，連接層導(dǎo)熱率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上。

　　 芯片上表面燒結(jié)工藝，提升模塊工作結(jié)溫：

　　芯片上表面采用燒結(jié)工藝，因燒結(jié)層具有的高耐溫特性，SiC 模塊工作結(jié)溫可提升至175℃，試驗(yàn)證明，其可靠性是傳統(tǒng)工藝的4倍以上。

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關(guān)鍵詞：模塊,功率,工藝,SiC,可靠性