45%提升 IBM推出全球首款2nm工藝芯片

日前，IBM在全球科技企業(yè)的制程大戰(zhàn)中，率先突破了3nm的極限，成功推出了全球首款采用2nm工藝的芯片。與目前的7納米制程相比，該技術(shù)預(yù)計可提升芯片45％的性能，并降低75％的能耗。

　　根據(jù)IBM的材料來看，這款2nm芯片每平方毫米可容納3.33億個晶體管，而作為對比目前最先進的臺積電5nm工藝每平方毫米最多才能容納1.713億個晶體管，而三星5nm工藝每平方毫米最多只能容納1.27億個晶體管。同時IBM也官宣了這款芯片的性能指標(biāo)，其中與當(dāng)前主流的7nm芯片相比，這款芯片的性能預(yù)計提升45%，能耗降低75%而與5nm芯片相比，2nm芯片的體積更小，速度更快。

●2nm芯片的潛在優(yōu)勢包括:

　　使手機電池壽命延長四倍，用戶只需每四天充電一次。

　　削減數(shù)據(jù)中心碳足跡，這些數(shù)據(jù)中心占全球能源使用量的百分之一。如果將所有服務(wù)器改為基于2nm的處理器，可能會顯著降低這一比例。

　　大大提高筆記本電腦的性能，包括更快的應(yīng)用程序處理、更輕松的語言翻譯，以及更快的互聯(lián)網(wǎng)接入。

　　加快自動駕駛汽車的物體檢測速度，縮短反應(yīng)時間。

　　IBM在半導(dǎo)體領(lǐng)域的突破還包括首次實現(xiàn)7nm和5nm工藝技術(shù)、單管DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）、Dennard標(biāo)度律、化學(xué)放大光刻膠、銅互連布線、絕緣硅片技術(shù)、多核微處理器、高K柵介質(zhì)、嵌入式DRAM，以及3D芯片堆疊。IBM的首款商業(yè)化產(chǎn)品，包括IBM Research 7 nm技術(shù)進展，將于今年晚些時候在基于IBM power10的IBM Power Systems中亮相。

　　增加每個芯片上的晶體管數(shù)量，可使其更小、更快、更可靠、效率更高。在宣布具有里程碑意義的5nm芯片設(shè)計后，不到4年的時間，IBM又獲得了該項最新突破，將使2nm芯片能夠在指甲大小的芯片上容納多達500億個晶體管。

　　此外，芯片上的晶體管數(shù)量增加也意味著處理器設(shè)計師擁有更多的選擇權(quán)，以助力核心層面的創(chuàng)新，提高AI和云計算等前沿工作負(fù)載的能力，以及找到硬件強制安全和加密的新途徑。IBM已在其最新一代IBM硬件（如IBM POWER10和IBM z15）中實現(xiàn)了其他創(chuàng)新核心級增強功能。

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